NCEP85T12 TO-220 NCE新潔能最新型號 NCEP85T12價格/供應商
發(fā)布時間：2018/2/3
NCEP85T12采用獨特超級溝槽工藝技術提高高頻下開關特性，降低了器件的特征導通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）。NCEP85T12的FOM (品質(zhì)因數(shù)(Rdson*Qg))大大降低，其軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰，實現(xiàn)在AC/DC電源的同步整流中快速開關。同時全面提升了產(chǎn)品的導通電阻溫度特性，有效控制了器件導通電阻隨溫度增加而上升的幅度，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時確保在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊耐量。
產(chǎn)品應用：
- 同步整流
- 高頻開關電路
- 隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器
| 品名 | N溝道深溝槽MOSFET NCEP85T12 |
|---|---|
| 型號 | NCEP85T12 |
| 絲印標識 | NCEP85T12 |
| 品牌 | 新潔能 |
| 封裝 | TO-220 |
| 器件結(jié)構(gòu) | 屏蔽柵深溝槽工藝 |
| 晶體管類型 | 單通道 |
| 晶體管極性 | N管 |
| 通道模式 | 增強型 |
| 柵極-源極電壓 Vgs | ±20V |
| N溝道接通延遲時間(nS) | 13.50 |
| N溝道接通上升時間(nS) | 12.50 |
| N溝道關斷延遲時間(nS) | 38.00 |
| N溝道關斷下降時間(nS) | 13.50 |
| 體二極管正向電壓 Vsd @ Is | 1.2V @ 120A |
| 體二極管反向恢復時間 trr @ 25°C | 74nS |
| 體二極管反向恢復電荷 Qrr @ 25°C | 176nC |
| 最高環(huán)境工作溫度 | 175℃ |
| 最低環(huán)境工作溫度 | -55℃ |
| 最小包裝數(shù)量 | 50 |
| 包裝方法 | 管裝 |
| 生產(chǎn)狀態(tài) | 現(xiàn)貨 |
| 工程技術 | MOSFET作用：1.場效應管應用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關。, MOSFET特點： 1.場效應管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應管的抗輻射能力強； 5.場效應管的噪聲系數(shù)很小。 |
| 外觀尺寸 | 10.16mm×8.70mm×4.57mm |
