IRFR024NTRPBF特性，參數(shù)，圖片 IRFR024N中文元件說明書
發(fā)布時(shí)間：2018/11/12
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 55V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 17A
Rds（最大）@ ID，VGS 75 mOhm @ 10A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 370pF @ 25V
功率 - 最大 45W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝 D-Pak
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 55 V
最大連續(xù)漏極電流 17 A
RDS -于 75@10V mOhm
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最大門源電壓 ±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 4.9 ns
典型上升時(shí)間 34 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間 19 ns
典型下降時(shí)間 27 ns
工作溫度 -55 to 175 °C
安裝 Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝 Tape & Reel
FET特點(diǎn) Standard
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 17A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss） 55V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 D-Pak
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 75 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 45W
輸入電容（Ciss ） @ VDS 370pF @ 25V
其他名稱 IRFR024NPBFTR
閘電荷（Qg ） @ VGS 20nC @ 10V
封裝/外殼 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量 2000
晶體管極性 N-Channel
源極擊穿電壓 20 V
連續(xù)漏極電流 16 A
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
功率耗散 38 W
封裝/外殼 DPAK
漏源擊穿電壓 55 V
RoHS RoHS Compliant
柵極電荷Qg 13.3 nC
漏極電流（最大值） 17 A
頻率（最大） Not Required MHz
柵源電壓（最大值） 20 V
輸出功率（最大） Not Required W
噪聲系數(shù) Not Required dB
漏源導(dǎo)通電阻 0.075 ohm
工作溫度范圍 -55C to 175C
包裝類型 DPAK
引腳數(shù) 2 +Tab
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏極效率 Not Required %
漏源導(dǎo)通電壓 55 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
associated 80-4-5
