NSV1C201MZ4T1G特性，參數(shù)，圖片 NSV1C201MZ4T1G中文元件說(shuō)明書
發(fā)布時(shí)間：2018/10/23
電流 - 集電極（ Ic）（最大） 2A
晶體管類型 NPN
安裝類型 *
頻率 - 轉(zhuǎn)換 100MHz
下的Vce飽和度（最大） Ib，Ic條件 180mV @ 200mA, 2A
電流 - 集電極截止（最大） 100nA (ICBO)
標(biāo)準(zhǔn)包裝 1,000
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 100V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 *
封裝 *
功率 - 最大 800mW
封裝/外殼 *
直流電流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce時(shí) 120 @ 500mA, 2V
集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 0.18 V
直流電流增益hFE最大值 360
晶體管極性 NPN
發(fā)射極 - 基極電壓VEBO 7 V
工廠包裝數(shù)量 1000
系列 NSS1C201MZ4
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 800 mW
增益帶寬產(chǎn)品fT 100 MHz
集電極 - 發(fā)射極最大電壓VCEO 100 V
安裝風(fēng)格 SMD/SMT
集電極 - 基極電壓VCBO 140 V
最低工作溫度 - 55 C
集電極最大直流電流 2 A
配置 Single
最高工作溫度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
連續(xù)集電極電流 2 A
