IRF540NPBF特性，參數(shù)，圖片 IRF540NPBF中文元件說明書
發(fā)布時間：2018/10/22
標準包裝 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點 Standard
漏極至源極電壓（VDSS） 100V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 33A
Rds（最大）@ ID，VGS 44 mOhm @ 16A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 4V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 71nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1960pF @ 25V
功率 - 最大 130W
安裝類型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220AB
包裝材料 Tube
包裝 3TO-220AB
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 100 V
最大連續(xù)漏極電流 33 A
RDS -于 44@10V mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導通延遲時間 11 ns
典型上升時間 35 ns
典型關閉延遲時間 39 ns
工作溫度 -55 to 175 °C
安裝 Through Hole
標準包裝 Rail / Tube
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 175
標準包裝名稱 TO-220
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
最大漏源電阻 44@10V
最大漏源電壓 100
每個芯片的元件數(shù) 1
供應商封裝形式 TO-220AB
最大功率耗散 130000
最大連續(xù)漏極電流 33
引腳數(shù) 3
鉛形狀 Through Hole
FET特點 Standard
封裝 Tube
安裝類型 Through Hole
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 33A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 4V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss） 100V
供應商設備封裝 TO-220AB
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 44 mOhm @ 16A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 130W
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1960pF @ 25V
其他名稱 *IRF540NPBF
閘電荷（Qg ） @ VGS 71nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
類別 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
身高 8.77mm
長度 10.54mm
最大漏源電阻 0.044 Ω
最高工作溫度 +175 °C
最大功率耗散 130 W
最低工作溫度 -55 °C
包裝類型 TO-220AB
典型柵極電荷@ VGS 71 nC V @ 10
典型輸入電容@ VDS 1960 pF V @ 25
寬度 4.69mm
漏極電流（最大值） 33 A
頻率（最大） Not Required MHz
柵源電壓（最大值） 20 V
輸出功率（最大） Not Required W
功率耗散 130 W
噪聲系數(shù) Not Required dB
漏源導通電阻 0.044 ohm
工作溫度范圍 -55C to 175C
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏極效率 Not Required %
漏源導通電壓 100 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
連續(xù)漏極電流 33 A
刪除 Compliant
晶體管極性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :33A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :44mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4V
功耗 :130W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-220AB
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :33A
Current Temperature :25°C
Device Marking :IRF540N
Full Power Rating Temperature :25°C
Junction to Case Thermal Resistance A :1.1°C/W
引線間距 :2.54mm
No. of Transistors :1
工作溫度范圍 :-55°C to +175°C
引腳配置 :a
Pin Format :1 g
Pulse Current Idm :110A
端接類型 :Through Hole
Voltage Vds Typ :100V
Voltage Vgs Max :4V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900
associated IR2010PBF
EYGA121807A
EYGA091203SM
SK 409/254 STS
SK 409/508 STS
SK 145/375 STS-220
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