| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,000 |
| Amplifier 型 | J-FET |
| 數(shù)字電路 | 1 |
| Output 型 | - |
| 轉(zhuǎn)換率 | 1 V/μs |
| 增益帶寬積 | - |
| -3db帶寬 | 1.6MHz |
| 電流 - 輸入偏壓 | 1pA |
| - 輸入電壓偏移 | 100μV |
| 電流 - 電源 | 1.3mA |
| 電流 - 輸出/通道 | 10mA |
| None | 8 V ~ 36 V, ±4 V ~ 18 V |
| 操作溫度 | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SO |
| 包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包裝 | 8SOIC N |
| 每個(gè)芯片的通道數(shù) | 1 |
| 類型 | General Purpose Amplifier |
| 典型增益帶寬積 | 1.6 MHz |
| 典型的轉(zhuǎn)換率 | 1@±15V V/us |
| 最大輸入失調(diào)電壓 | 0.5@±15V mV |
| 最大輸入偏置電流 | 0.000002@±15V uA |
| 典型輸入噪聲電壓密度 | 20@±15V nV/rtHz |
| 最低CMRR | 90 dB |
| 最小雙電源電壓 | ±4 V |
| 安裝 | Surface Mount |
| 工作溫度 | 0 to 70 °C |
| 典型的同相輸入噪聲電流密度 | 0.0006@±15V pA/rtHz |
| 典型電壓增益 | 120 dB |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | Tape & Reel |
| 制造商類型 | Low Noise Amplifier |
| 軌至軌 | No |
| 包裝寬度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 篩選等級 | Commercial |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 最大雙電源電壓 | ±18 |
| 最大輸入偏置電流 | 0.000002@±15V |
| Minimum PSRR | 86 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 典型增益帶寬積 | 1.6 |
| 典型電壓增益 | 120 |
| 電源類型 | Dual |
| 最低CMRR | 90 |
| 最低工作溫度 | 0 |
| 供應(yīng)商封裝形式 | SOIC N |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 | SOIC |
| 最高工作溫度 | 70 |
| 最小雙電源電壓 | ±4 |
| 典型雙電源電壓 | ±15 |
| 關(guān)機(jī)支持 | No |
| 包裝長度 | 5(Max) |
| 引腳數(shù) | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.000001@±15V |
| 最大輸入失調(diào)電壓 | 0.5@±15V |
| 包裝高度 | 1.5(Max) |
| 封裝 | Tape and Reel |
| 典型的轉(zhuǎn)換率 | 1@±15V |
| 技術(shù) | JFET |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| 電流 - 輸出/通道 | 10mA |
| 放大器類型 | J-FET |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| - 3dB帶寬 | 1.6MHz |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | 8-SOIC N |
| 電流 - 電源 | 1.3mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 8 V ~ 36 V, ±4 V ~ 18 V |
| 壓擺率 | 1 V/μs |
| 電流 - 輸入偏壓 | 1pA |
| 電壓 - 輸入偏移 | 100μV |
| 電路數(shù) | 1 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工作電源電壓 | 8 V to 36 V |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| 雙電源電壓 | +/- 15 V |
| 最低工作溫度 | 0 C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 最大雙電源電壓 | +/- 18 V |
| 系列 | AD795 |
| 電源電流 | 1.5 mA |
| 電壓增益dB | 120 dB |
| 輸入失調(diào)電壓 | 100 uV |
| 通道數(shù) | 1 Channel |
| 封裝/外殼 | SOIC-8 |
| 電源電壓 - 最大 | 36 V |
| 電源電壓 - 最小 | 8 V |
| 最高工作溫度 | + 70 C |
| 增益帶寬積 | 1.6 MHz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 工作溫度范圍 | 0C to 70C |
| 包裝類型 | SOIC N |
| 元件數(shù) | 1 |
| 共模抑制比 | 90 dB |
| 工作溫度分類 | Commercial |
| Dual Supply Voltage (Typ) | ?1?715 V |
| 輸入偏置電流 | 0.003 nA |
| 電源要求 | Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | ?1?74 V |
| 鐵/鐵I / O類型 | No |
| 關(guān)機(jī)功能 | No |
| 弧度硬化 | No |
| 單電源電壓(最小值) | Not Required V |
| 單電源電壓(最大值) | Not Required V |
| 單電源電壓(典型值) | Not Required V |
| Dual Supply Voltage (Max) | ?1?718 V |
| 電源抑制比 | 86 dB |
| 電壓增益(dB) | 120 dB |
| 單位增益帶寬積 | 1.6MHz |