工廠包裝數(shù)量 50
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
晶體管極性 N-Channel
封裝/外殼 TO-220FP-3
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 75 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 30 V
下降時間 7 ns
封裝 Tube
品牌 Toshiba
通道數(shù) 1 Channel
配置 Single
最高工作溫度 + 150 C
Id - Continuous Drain Current 27.6 A
長度 10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 94 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型關(guān)閉延遲時間 130 ns
通道模式 Enhancement
系列 TK28A65W
身高 15 mm
安裝風格 Through Hole
典型導通延遲時間 60 ns
最低工作溫度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 45 W
上升時間 25 ns
技術(shù) Si