FDS9412【FDS9412 FAIRCHILD品牌】亞泰盈科優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨
發(fā)布時(shí)間：2018/8/9
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C 7.9A
Rds（最大）@ ID，VGS 22 mOhm @ 7.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 22nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 830pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154", 3.90mm 寬度 )
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC N
包裝材料 Tape & Reel (TR)
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
通道模式 Enhancement
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱 SOIC
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
封裝 Tape and Reel
最大漏源電阻 22@10V
最大漏源電壓 30
每個(gè)芯片的元件數(shù) 1
供應(yīng)商封裝形式 SOIC N
最大功率耗散 2500
最大連續(xù)漏極電流 7.9
引腳數(shù) 8
鉛形狀 Gull-wing
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 7.9A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2V @ 250μA
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應(yīng)商設(shè)備封裝 8-SOIC N
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 22 mOhm @ 7.9A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 2,500
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 830pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 22nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏極電流（最大值） 7.9 A
頻率（最大） Not Required MHz
柵源電壓（最大值） 20 V
輸出功率（最大） Not Required W
功率耗散 2.5 W
安裝 Surface Mount
噪聲系數(shù) Not Required dB
漏源導(dǎo)通電阻 0.022 ohm
工作溫度范圍 -55C to 150C
包裝類型 SOIC N
極性 N
類型 Power MOSFET
元件數(shù) 1
工作溫度分類 Military
漏極效率 Not Required %
漏源導(dǎo)通電壓 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
連續(xù)漏極電流 7.9 A
