FGA90N33ATDTU圖片/價格/供應(yīng)商 FGA90N33ATDTU庫存列表
發(fā)布時間：2018/7/10
FGA90N33ATDTU圖片/價格/供應(yīng)商 FGA90N33ATDTU庫存列表
FGA90N33ATDTU中文參數(shù)及圖片
標準包裝 30
IGBT 型 Trench
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 330V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
- 集電極電流（Ic）（最大） 90A
功率 - 最大 223W
Input 型 Standard
安裝類型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-3PN
包裝材料 Tube
供應(yīng)商封裝形式 TO-3P(N)
最大柵極發(fā)射極電壓 ±30
最大連續(xù)集電極電流 90
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
標準包裝名稱 TO-3P(N)
渠道類型 N
封裝 Tube
最大集電極發(fā)射極電壓 330
最大功率耗散 223000
最低工作溫度 -55
引腳數(shù) 3
鉛形狀 Through Hole
柵極電荷 95nC
電流 - 集電極（ Ic）（最大） 90A
安裝類型 Through Hole
標準包裝 30
時間Td（開/關(guān)） @ 25°C 23ns/100ns
Vce（開） （最大值） Vge，Ic時 1.4V @ 15V, 20A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 330V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 TO-3PN
反向恢復(fù)時間（trr ） 23ns
功率 - 最大 223W
輸入類型 Standard
封裝/外殼 TO-3P-3, SC-65-3
IGBT類型 Trench
測試條件 200V, 20A, 5 Ohm, 15V
電流 - 集電極脈沖（ ICM ） 330A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集電極電流（ DC）（最大值） 90 A
集電極 - 發(fā)射極電壓 330 V
安裝 Through Hole
包裝類型 TO-3PN
工作溫度（最大） 150C
工作溫度（最小值） -55C
工作溫度分類 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) 30 V
弧度硬化 No
集電極電流（DC ） 90 A
FGA90N33ATDTU系列產(chǎn)品
型號 廠家 產(chǎn)品描述
FGA90N33ATTU fairchild semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Tube
FGA90N33ATTU rochester electronics
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor IGBT Transistors TBD
FGA90N30DTU rochester electronics
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor IGBT Transistors TBD
FGA90N30TU rochester electronics
IGBT 型 Trench
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 330V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
- 集電極電流（Ic）（最大） 90A
功率 - 最大 223W
Input 型 Standard
安裝類型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3, SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-3PN
包裝材料 Tube
供應(yīng)商封裝形式 TO-3P(N)
最大柵極發(fā)射極電壓 ±30
最大連續(xù)集電極電流 90
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
標準包裝名稱 TO-3P(N)
渠道類型 N
封裝 Tube
最大集電極發(fā)射極電壓 330
最大功率耗散 223000
最低工作溫度 -55
引腳數(shù) 3
鉛形狀 Through Hole
柵極電荷 95nC
電流 - 集電極（ Ic）（最大） 90A
安裝類型 Through Hole
標準包裝 30
時間Td（開/關(guān)） @ 25°C 23ns/100ns
Vce（開） （最大值） Vge，Ic時 1.4V @ 15V, 20A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大） 330V
供應(yīng)商設(shè)備封裝 TO-3PN
反向恢復(fù)時間（trr ） 23ns
功率 - 最大 223W
輸入類型 Standard
封裝/外殼 TO-3P-3, SC-65-3
IGBT類型 Trench
測試條件 200V, 20A, 5 Ohm, 15V
電流 - 集電極脈沖（ ICM ） 330A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集電極電流（ DC）（最大值） 90 A
集電極 - 發(fā)射極電壓 330 V
安裝 Through Hole
包裝類型 TO-3PN
工作溫度（最大） 150C
工作溫度（最小值） -55C
工作溫度分類 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) 30 V
弧度硬化 No
集電極電流（DC ） 90 A
FGA90N33ATDTU系列產(chǎn)品
型號 廠家 產(chǎn)品描述
FGA90N33ATTU fairchild semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Tube
FGA90N33ATTU rochester electronics
FGA90N30DTU Fairchild Semiconductor IGBT Transistors TBD
FGA90N30DTU rochester electronics
FGA90N30TU Fairchild Semiconductor IGBT Transistors TBD
FGA90N30TU rochester electronics
