FDS6982【FDS6982引腳參數(shù)】價格/供應商
發(fā)布時間：2018/7/2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標準包裝 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特點 Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 6.3A, 8.6A
Rds（最大）@ ID，VGS 28 mOhm @ 6.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 12nC @ 5V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 760pF @ 10V
功率 - 最大 900mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應商器件封裝 8-SOICN
包裝材料 Tape & Reel (TR)
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
通道模式 Enhancement
標準包裝名稱 SOIC
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
封裝 Tape and Reel
最大漏源電阻 28@10V@Q 1|15@10V@Q 2
最大漏源電壓 30
每個芯片的元件數(shù) 2
供應商封裝形式 SOIC N
最大功率耗散 2000
最大連續(xù)漏極電流 6.3@Q 1|8.6@Q 2
引腳數(shù) 8
鉛形狀 Gull-wing
FET特點 Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 6.3A, 8.6A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
供應商設(shè)備封裝 8-SOIC N
其他名稱 FDS6982TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 28 mOhm @ 6.3A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 900mW
標準包裝 2,500
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 760pF @ 10V
閘電荷（Qg ） @ VGS 12nC @ 5V
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶體管極性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :8.6A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :15mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2.2V
功耗 :2W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Cont Current Id N Channel 2 :8.6A
Cont Current Id N Channel 3 :6.3A
Current Id Max :8.6A
No. of Transistors :2
On State Resistance Channel 1 :15mohm
On State Resistance N Channel 2 :28mohm
工作溫度范圍 :-55°C to +150°C
Power Dissipation N Channel 2 :2W
Power Dissipation N Channel 3 :2W
Pulse Current Idm :30A
Pulse Current Idm N Channel 2 :30A
Pulse Current Idm N Channel 3 :20A
SMD Marking :FDS6982
Voltage Vds N Channel 1 :30V
Voltage Vds N Channel 2 :30V
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Max :2.2V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Voltage Vgs th N Channel 1 Min :3V
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900
associated RE932-01
EYGA121807A
EYGA091203SM
ICK SMD A 5 SA
