AON6926【AON6926引腳參數(shù)】價(jià)格/供應(yīng)商
發(fā)布時(shí)間：2018/6/13
Rohs Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
FET 型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 44A
Rds（最大）@ ID，VGS 11 mOhm @ 20A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 2.5V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 1380pF @ 15V
功率 - 最大 1.9W
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-VDFN Exposed Pad
供應(yīng)商器件封裝 8-DFN-EP (5x6)
包裝材料 Tape & Reel (TR)
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
通道模式 Enhancement
渠道類型 N
最大漏源電阻 11@10V@Q 1|8.5@10V@Q 2
最大漏源電壓 30
每個(gè)芯片的元件數(shù) 2
最大功率耗散 31000@Q 1|35000@Q 2
最大連續(xù)漏極電流 44@Q 1|50@Q 2
最低工作溫度 -55
FET特點(diǎn) Logic Level Gate
封裝 Tape & Reel (TR)
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 11A, 12A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 2.5V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝 8-DFN (5x6)
其他名稱 AON6926-ND
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 11 mOhm @ 20A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
功率 - 最大 1.9W, 2.1W
標(biāo)準(zhǔn)包裝 3,000
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS 1380pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 24nC @ 10V
封裝/外殼 8-PowerVDFN
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
