其它圖紙:AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side標準包裝:1
類別:分立式導體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:-
包裝:剪切帶 (CT)
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):12A (Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):11 毫歐 @ 12A,20V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):2600pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商器件封裝:8-SOIC
產(chǎn)品目錄頁面:1668 (CN2011-ZH PDF)