NCE80H11 TO-263 80V 105A N溝道 全新原裝 NCE80H11價格優(yōu)勢
發(fā)布時間：2018/2/2
N溝道增強型場效應(yīng)管NCE80H11 Vds=80V Ids=110A RDS(ON)<6.5mΩ @ VGS=10V,TO-220NCE80H11是一款采用先進結(jié)工藝技術(shù)生產(chǎn)的增強型N溝道MOSFET，采用先進的溝漕道工藝制做，導通阻低RDS(ON) ，開關(guān)速度快，低開啟電壓Vgs，帶ESD保護，穩(wěn)定性好，具有很高的EAS均勻性。該MOSFET有著廣泛的應(yīng)用。
產(chǎn)品應(yīng)用：
- 開關(guān)電源
- 高頻硬開關(guān)電路
- UPS電路
品名 N溝道MOSFET NCE80H11 型號 NCE80H11 絲印標識 NCE80H11 品牌 新潔能 封裝 TO-220 器件結(jié)構(gòu) 溝槽工藝 晶體管類型 單通道 晶體管極性 N管 通道模式 增強型 柵極-源極電壓 Vgs ±20V N溝道接通延遲時間(nS) 20.00 N溝道接通上升時間(nS) 19.00 N溝道關(guān)斷延遲時間(nS) 70.00 N溝道關(guān)斷下降時間(nS) 30.00 體二極管正向電壓 Vsd @ Is 1.2V @ 40A 體二極管反向恢復時間 trr @ 25°C 37nS 體二極管反向恢復電荷 Qrr @ 25°C 58nC 最高環(huán)境工作溫度 175℃ 最低環(huán)境工作溫度 -55℃ 最小包裝數(shù)量 50 包裝方法 管裝 生產(chǎn)狀態(tài) 現(xiàn)貨 工程技術(shù) MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
NCE80H11是一款采用先進結(jié)工藝技術(shù)生產(chǎn)的增強型N溝道MOSFET，采用先進的溝漕道工藝制做，導通阻低RDS(ON) ，開關(guān)速度快，低開啟電壓Vgs，帶ESD保護，穩(wěn)定性好，具有很高的EAS均勻性。該MOSFET有著廣泛的應(yīng)用。
產(chǎn)品應(yīng)用：
- 開關(guān)電源
- 高頻硬開關(guān)電路
- UPS電路
| 品名 | N溝道MOSFET NCE80H11 |
|---|---|
| 型號 | NCE80H11 |
| 絲印標識 | NCE80H11 |
| 品牌 | 新潔能 |
| 封裝 | TO-220 |
| 器件結(jié)構(gòu) | 溝槽工藝 |
| 晶體管類型 | 單通道 |
| 晶體管極性 | N管 |
| 通道模式 | 增強型 |
| 柵極-源極電壓 Vgs | ±20V |
| N溝道接通延遲時間(nS) | 20.00 |
| N溝道接通上升時間(nS) | 19.00 |
| N溝道關(guān)斷延遲時間(nS) | 70.00 |
| N溝道關(guān)斷下降時間(nS) | 30.00 |
| 體二極管正向電壓 Vsd @ Is | 1.2V @ 40A |
| 體二極管反向恢復時間 trr @ 25°C | 37nS |
| 體二極管反向恢復電荷 Qrr @ 25°C | 58nC |
| 最高環(huán)境工作溫度 | 175℃ |
| 最低環(huán)境工作溫度 | -55℃ |
| 最小包裝數(shù)量 | 50 |
| 包裝方法 | 管裝 |
| 生產(chǎn)狀態(tài) | 現(xiàn)貨 |
| 工程技術(shù) | MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。 |
