NCEP85T35T 新潔能NCE TO-247 NCEP85T35T供應(yīng)商 價(jià)格
發(fā)布時(shí)間：2018/2/2
增強(qiáng)型N溝道屏蔽柵深溝槽場效應(yīng)管 NCEP85T35T Vds=85V Ids=350A RDS(ON)<1.85mΩ @ VGS=10V,TO-247
NCEP85T35T 采用獨(dú)特超級溝槽工藝技術(shù)提高高頻下開關(guān)特性，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）。NCEP85T35T 的FOM (品質(zhì)因數(shù)(Rdson*Qg))大大降低，其軟體二極管性能可以有效降低同步整流中的電壓尖峰，實(shí)現(xiàn)在AC/DC電源的同步整流中快速開關(guān)。同時(shí)全面提升了產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻溫度特性，有效控制了器件導(dǎo)通電阻隨溫度增加而上升的幅度，提升MOSFET器件在電能轉(zhuǎn)換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度，同時(shí)確保在苛刻環(huán)境下開關(guān)過程中的抗沖擊耐量。
產(chǎn)品應(yīng)用：
- 同步整流
- 高頻開關(guān)電路
- 隔離的直流-直流轉(zhuǎn)換器
| 品名 | N溝道深溝槽MOSFET NCEP85T35T |
|---|---|
| 型號 | NCEP85T35T |
| 絲印標(biāo)識 | NCEP85T35T |
| 品牌 | 新潔能 |
| 封裝 | TO-247 |
| 器件結(jié)構(gòu) | 屏蔽柵深溝槽工藝 |
| 晶體管類型 | 單通道 |
| 晶體管極性 | N管 |
| 通道模式 | 增強(qiáng)型 |
| 柵極-源極電壓 Vgs | ±20V |
| N溝道接通延遲時(shí)間(nS) | 35.00 |
| N溝道接通上升時(shí)間(nS) | 98.00 |
| N溝道關(guān)斷延遲時(shí)間(nS) | 110.00 |
| N溝道關(guān)斷下降時(shí)間(nS) | 45.00 |
| 體二極管正向電壓 Vsd @ Is | 1.2V @ 175A |
| 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 trr @ 25°C | 155nS |
| 體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C | 436nC |
| 最高環(huán)境工作溫度 | 175℃ |
| 最低環(huán)境工作溫度 | -55℃ |
| 最小包裝數(shù)量 | 30 |
| 包裝方法 | 管裝 |
| 生產(chǎn)狀態(tài) | 量產(chǎn)中 |
| 工程技術(shù) | MOSFET作用：1.場效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級放大器的輸入級作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點(diǎn)： 1.場效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； 5.場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。 |
