NCE8290B82V90AMOS管 代理/82V90A MOS管封裝TO-220 全新原裝
發(fā)布時(shí)間：2018/1/31
N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管NCE8290B Vds=82V Ids=90A RDS(ON)<8.5mΩ @ VGS=10V,TO-220
NCE8290B是一款采用先進(jìn)結(jié)工藝技術(shù)生產(chǎn)的增強(qiáng)型N溝道MOSFET，采用先進(jìn)的溝漕道工藝制做，導(dǎo)通阻低RDS(ON) ，開關(guān)速度快，低開啟電壓Vgs，帶ESD保護(hù)，穩(wěn)定性好，具有很高的EAS均勻性。該MOSFET有著廣泛的應(yīng)用。
產(chǎn)品應(yīng)用：
- 開關(guān)電源
- 高頻硬開關(guān)電路
- UPS電路
| 品名 | N溝道MOSFET NCE8290B |
|---|---|
| 型號(hào) | NCE8290B |
| 絲印標(biāo)識(shí) | NCE8290B |
| 品牌 | 新潔能 |
| 封裝 | TO-220 |
| 器件結(jié)構(gòu) | 溝槽工藝 |
| 晶體管類型 | 單通道 |
| 晶體管極性 | N管 |
| 通道模式 | 增強(qiáng)型 |
| 柵極-源極電壓 Vgs | ±20V |
| N溝道接通延遲時(shí)間(nS) | 36.10 |
| N溝道接通上升時(shí)間(nS) | 54.30 |
| N溝道關(guān)斷延遲時(shí)間(nS) | 85.20 |
| N溝道關(guān)斷下降時(shí)間(nS) | 37.30 |
| 體二極管正向電壓 Vsd @ Is | 1.2V @ 20A |
| 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 trr @ 25°C | 88.3nS |
| 體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C | 65.9nC |
| 最高環(huán)境工作溫度 | 175℃ |
| 最低環(huán)境工作溫度 | -55℃ |
| 最小包裝數(shù)量 | 50 |
| 包裝方法 | 管裝 |
| 生產(chǎn)狀態(tài) | 量產(chǎn)中 |
| 工程技術(shù) | MOSFET作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開關(guān)。, MOSFET特點(diǎn)： 1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，通過VGS來控制ID；2.場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； 5.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。 |
