新潔能 NCE65R900L NCE70R1K2F
發(fā)布時(shí)間：2018/1/29
超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管 NCE65R900L Vds=650V Ids=5A RDS(ON)<900mΩ @ VGS=10V,TO-251S
NCE65R900L是一款利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開(kāi)關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
功率因數(shù)校正電路 (PFC)
開(kāi)關(guān)模式電源
不間斷電源 (UPS)
品名 超結(jié)Mosfet NCE65R900L
型號(hào) NCE65R900L
絲印標(biāo)識(shí) NCE65R900L
品牌 新潔能
封裝 TO-251S
器件結(jié)構(gòu) 超結(jié)工藝
晶體管類(lèi)型 單通道
晶體管極性 N管
通道模式 增強(qiáng)型
柵極-源極電壓 Vgs ±30V
N溝道接通延遲時(shí)間(nS) 6.00
N溝道接通上升時(shí)間(nS) 3.00
N溝道關(guān)斷延遲時(shí)間(nS) 50.00
N溝道關(guān)斷下降時(shí)間(nS) 9.00
體二極管正向電壓 Vsd @ Is 1V @ 5A
體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 trr @ 25°C 250nS
體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C 2.2uC
最高環(huán)境工作溫度 150℃
最低環(huán)境工作溫度 -55℃
最小包裝數(shù)量 80
包裝方法 管裝
生產(chǎn)狀態(tài) 接單生產(chǎn)
工程技術(shù) MOSFET作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開(kāi)關(guān)。, MOSFET特點(diǎn)： 1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，通過(guò)VGS來(lái)控制ID；2.場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； 5.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。
超結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管NCE70R1K2F Vds=700V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-220F
NCE70R1K2F是一款利用先進(jìn)的電荷平衡技術(shù)的超結(jié)MOSFET（兼容COOLMOS系列產(chǎn)品），在第一代超結(jié)MOSFET產(chǎn)品的基礎(chǔ)上大幅度提高了單位面積內(nèi)的電流密度，產(chǎn)品特征導(dǎo)通電阻（Rdson*A）降低40%，開(kāi)關(guān)損耗降低12%，總能效提升1.7%。充足的耐壓余量，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)難度，提供更高的系統(tǒng)可靠性。
產(chǎn)品應(yīng)用：
- 功率因數(shù)校正電路 (PFC)
- 開(kāi)關(guān)模式電源
- 不間斷電源 (UPS)
| 品名 | 超結(jié)Mosfet NCE70R1K2F |
|---|---|
| 型號(hào) | NCE70R1K2F |
| 絲印標(biāo)識(shí) | NCE70R1K2F |
| 品牌 | 新潔能 |
| 封裝 | TO-220F |
| 器件結(jié)構(gòu) | 超結(jié)工藝 |
| 晶體管類(lèi)型 | 單通道 |
| 晶體管極性 | N管 |
| 通道模式 | 增強(qiáng)型 |
| 柵極-源極電壓 Vgs | ±30V |
| N溝道接通延遲時(shí)間(nS) | 6.00 |
| N溝道接通上升時(shí)間(nS) | 3.00 |
| N溝道關(guān)斷延遲時(shí)間(nS) | 48.00 |
| N溝道關(guān)斷下降時(shí)間(nS) | 8.00 |
| 體二極管正向電壓 Vsd @ Is | 1V @ 4A |
| 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 trr @ 25°C | 150nS |
| 體二極管反向恢復(fù)電荷 Qrr @ 25°C | 0.85uC |
| 最高環(huán)境工作溫度 | 150℃ |
| 最低環(huán)境工作溫度 | -55℃ |
| 最小包裝數(shù)量 | 50 |
| 包裝方法 | 管裝 |
| 生產(chǎn)狀態(tài) | 現(xiàn)貨 |
| 工程技術(shù) | MOSFET作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于放大電路； 2.用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換； 3.用作可變電阻； 4.用作恒流源；5.用作電子開(kāi)關(guān)。, MOSFET特點(diǎn)： 1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，通過(guò)VGS來(lái)控制ID；2.場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。3.它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，溫度穩(wěn)定性較好； 4.場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)； 5.場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小。 |
