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發(fā)布時間：2018/1/19
電荷在導(dǎo)體中運動時，會受到分子和原子等其他粒子的碰撞與摩擦，碰撞和摩擦的結(jié)果形成了導(dǎo)體對電流的阻礙，這種阻礙作用最明顯的特征是導(dǎo)體消耗電能而發(fā)熱（或發(fā)光）。物體對電流的這種阻礙作用，稱為該物體的電阻。電阻器(Resistor)在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的陰值是固定的一般是兩個引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過電阻器的瞬時電流與外加瞬時電壓成正比。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個可移金屬觸點。觸點位置確定電阻體任一端與觸點間的阻值。
0207 2.4K 1% 貼片色環(huán)圓柱電阻
電容：
陶瓷區(qū)別：
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
不同種類介紹：
NPO電容器
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%薄膜電容的來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封裝DC=50V DC=100V
0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF
1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF
1210 560---56000pF 560---27000pF
2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%薄膜電容的來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。
封裝DC=50V DC=100V
0805 0.5---10000pF 0.5---8200pF
1206 0.5---12000pF 0.5---18000pF
1210 560---56000pF 560---27000pF
2225 1000pF---0.33μF 1000pF---0.18μF
NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當(dāng)電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。
封裝DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.56μF 330pF---0.12μF
1206 1000pF---1.5μF 1000pF---0.47μF
1210 1000pF---2.2μF 1000pF---1μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---5.6μF
Z5U電容器
封裝DC=50V DC=100V
0805 330pF---0.56μF 330pF---0.12μF
1206 1000pF---1.5μF 1000pF---0.47μF
1210 1000pF---2.2μF 1000pF---1μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---5.6μF
Z5U電容器
Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達(dá)每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。
封裝DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---1.2μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---3.3μF 0.01μF---2.7μF
1210 0.01μF---6.8μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---10μF
Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍10℃--- 85℃
溫度特性22% ---- -56%
Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)22% 到-82%。
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。
封裝DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---1.2μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---3.3μF 0.01μF---2.7μF
1210 0.01μF---6.8μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.01μF---10μF 0.01μF---10μF
Z5U電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍10℃--- 85℃
溫度特性22% ---- -56%
Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)22% 到-82%。
Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達(dá)4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值范圍如下表所示
封裝DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---3.9μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---10μF 0.01μF---3.3μF
1210 0.1μF---15μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.68μF---22μF 0.68μF---15μF
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍-30℃--- 85℃
溫度特性22% ---- -82%
封裝DC=25V DC=50V
0805 0.01μF---3.9μF 0.01μF---1μF
1206 0.01μF---10μF 0.01μF---3.3μF
1210 0.1μF---15μF 0.01μF---4.7μF
2225 0.68μF---22μF 0.68μF---15μF
Y5V電容器的其他技術(shù)指標(biāo)如下:
工作溫度范圍-30℃--- 85℃
溫度特性22% ---- -82%
103M 1KV/103高壓瓷片電容
