IC芯片F(xiàn)DS6900AS_FDS6900價格/供應商
發(fā)布時間：2017/12/27
IC芯片F(xiàn)DS6900AS_FDS6900價格/供應商
FDS6900AS產(chǎn)品詳細規(guī)格
FDS6900AS產(chǎn)品詳細規(guī)格
標準包裝 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特點 Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS） 30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C 6.9A, 8.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 27 mOhm @ 6.9A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS 15nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@ Vds的 600pF @ 15V
功率 - 最大 900mW
安裝類型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應商器件封裝 8-SOICN
包裝材料 Tape & Reel (TR)
包裝 8SOIC N
通道模式 Enhancement
最大漏源電壓 30 V
最大連續(xù)漏極電流 6.9@Q 1|8.2@Q 2 A
RDS -于 27@10V@Q 1|22@10V@Q 2 mOhm
最大門源電壓 ±20 V
典型導通延遲時間 9@Q 1|10@Q 1|10@Q 2|11@Q 2 ns
典型上升時間 4@Q 1|9@Q 1|5@Q 2|15@Q 2 ns
典型關閉延遲時間 23@Q 1|14@Q 1|26@Q 2|16@Q 2 ns
典型下降時間 3@Q 1|4@Q 1|3@Q 2|6@Q 2 ns
工作溫度 -55 to 150 °C
安裝 Surface Mount
標準包裝 Tape & Reel
最大門源電壓 ±20
歐盟RoHS指令 Compliant
最高工作溫度 150
標準包裝名稱 SOIC
最低工作溫度 -55
渠道類型 N
封裝 Tape and Reel
最大漏源電阻 27@10V@Q 1|22@10V@Q 2
最大漏源電壓 30
每個芯片的元件數(shù) 2
供應商封裝形式 SOIC N
最大功率耗散 2000
最大連續(xù)漏極電流 6.9@Q 1|8.2@Q 2
引腳數(shù) 8
鉛形狀 Gull-wing
FET特點 Logic Level Gate
安裝類型 Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C 6.9A, 8.2A
的Vgs（th ） （最大）@ Id 3V @ 250μA
漏極至源極電壓（Vdss） 30V
供應商設備封裝 8-SOIC
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS 27 mOhm @ 6.9A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 900mW
輸入電容（Ciss ） @ VDS 600pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS 15nC @ 10V
封裝/外殼 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名稱 FDS6900ASCT
類別 Power MOSFET
配置 Dual
外形尺寸 5 x 3.99 x 1.5mm
身高 1.5mm
長度 5mm
最大漏源電阻 0.022 (Transistor 2) Ω, 0.027 (Transistor 1) Ω
最高工作溫度 +150 °C
最大功率耗散 2 W
最低工作溫度 -55 °C
包裝類型 SOIC N
典型柵極電荷@ VGS 10 nC @ 10 V (Transistor 2), 11 nC @ 10 V (Transistor 1)
典型輸入電容@ VDS 570 pF @ 15 V (Transistor 2), 600 pF @ 15 V (Transistor 1)
寬度 3.99mm
工廠包裝數(shù)量 2500
晶體管極性 N-Channel
連續(xù)漏極電流 6.9 A, 8.2 A
封裝/外殼 SOIC-8
零件號別名 FDS6900AS_NL
下降時間 3 ns
產(chǎn)品種類 MOSFET
單位重量 0.006596 oz
正向跨導 - 閔 25 S, 21 S
RoHS RoHS Compliant
源極擊穿電壓 +/- 20 V
系列 FDS6900AS
RDS（ON） 22 mOhms
安裝風格 SMD/SMT
功率耗散 2 W
上升時間 4 ns
漏源擊穿電壓 30 V
Continuous Drain Current Id :6.9A
Drain Source Voltage Vds :30V
On Resistance Rds(on) :27mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :1.9V
功耗 :2W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOIC
No. of Pins :8
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Cont Current Id N Channel 2 :6.9A
Cont Current Id N Channel 3 :8.2A
Continuous Drain Current Id, N Channel :8.2A
Current Id Max :8.2A
Drain Source Voltage Vds, N Channel :30V
Module Configuration :Dual
No. of Transistors :1
On Resistance Rds(on), N Channel :0.017ohm
On State Resistance Channel 1 :27mohm
On State Resistance N Channel 2 :22mohm
工作溫度范圍 :-55°C to +150°C
Pulse Current Idm N Channel 2 :20A
Pulse Current Idm N Channel 3 :30A
端接類型 :SMD
Voltage Vds Typ :30V
Voltage Vgs Rds on Measurement :10V
Weight (kg) 0.0005
Tariff No. 85412900
FDS6900AS系列產(chǎn)品
型號 廠家 產(chǎn)品描述
FDS6900S Fairchild Semiconductor MOSFET Dual NCh PowerTrench
FDS6900S rochester electronics
FDS6900AS也可以通過以下分類找到
產(chǎn)品分類 分立 晶體管 MOSFET
產(chǎn)品分類 半導體與光電子 分立元件 MOSFET晶體管
產(chǎn)品分類 半導體與光電子 分立式半導體 晶體管 MOSFET
產(chǎn)品分類 半導體 - 分立元件 MOSFET的
FDS6900AS相關搜索
FDS6900 FDS6900AS
訂購FDS6900AS.產(chǎn)品描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R. 生產(chǎn)商: fairchild semiconductor
