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供應(yīng) IGBT 功率模塊 FZ1800R12KF4-S1 FZ1800R12KF4 哪家好? 找亞泰盈科

發(fā)布時間:2016/11/25

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Triple Common Emitter Common Gate
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.7 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 1800 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 5 kW
最大工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: IHM190
商標(biāo): Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
最小工作溫度: - 40 C

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聯(lián)系人:羅小姐
QQ:2355705577   TEL:0755-83759893  18902849330
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