華邦電成功自行開(kāi)發(fā)3x納米DRAM Q4量產(chǎn)
發(fā)布時(shí)間：2016/10/17
存儲(chǔ)器大廠華邦電子總經(jīng)理詹東義在活動(dòng)中指出，近年強(qiáng)攻車(chē)用及工控等市場(chǎng)有成，第2季營(yíng)收占比已達(dá)16%，而第4季客戶(hù)需求強(qiáng)勁，該公司的產(chǎn)能已被預(yù)訂。另外，華邦電已成功完成自行開(kāi)發(fā)的3x納米DRAM制程，第4季可望開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)，法人看好華邦電明年獲利將出現(xiàn)跳躍性成長(zhǎng)。
??華邦電今年在利基型存儲(chǔ)器市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)增市占率，DRAM及NOR/NAND Flash等產(chǎn)品線(xiàn)陸續(xù)打進(jìn)蘋(píng)果、三星等國(guó)際大廠供應(yīng)鏈。雖然三星此次宣布停產(chǎn)Note 7，但詹東義表示，華邦電供應(yīng)三星多款機(jī)種，而且還有供應(yīng)給其它手機(jī)品牌大廠，因此Note 7停產(chǎn)不會(huì)對(duì)華邦電營(yíng)運(yùn)造成影響。
??受惠于DRAM價(jià)格持續(xù)走高，華邦電9月合并營(yíng)收月增1.6%、達(dá)新臺(tái)幣36.32億元，持續(xù)改寫(xiě)10年來(lái)單月?tīng)I(yíng)收新高;第3季合并營(yíng)收季增2.2%、達(dá)新臺(tái)幣107.33億元，與去年同期相較成長(zhǎng)12.6%，表現(xiàn)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。累計(jì)今年前3季度營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣313.17億元，較去年同期成長(zhǎng)9.8%。
??由于第4季DRAM價(jià)格持續(xù)調(diào)漲，華邦電營(yíng)收將開(kāi)始反應(yīng)漲幅效應(yīng)，法人看好華邦電營(yíng)收持續(xù)創(chuàng)高，而且明年第1季營(yíng)運(yùn)不看淡。
??另外，華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞15日也宣布好消息，華邦電已經(jīng)成功自行開(kāi)發(fā)的3x納米DRAM制程技術(shù)，是中國(guó)臺(tái)灣首家成功自行開(kāi)發(fā)納米級(jí)DRAM技術(shù)的廠商。
??事實(shí)上，華邦電近幾年?duì)I收表現(xiàn)平穩(wěn)，主要是DRAM制程已經(jīng)有6年沒(méi)有微縮，而且近幾年全球DRAM市場(chǎng)進(jìn)行整合，華邦電不想買(mǎi)授權(quán)只做代工，但仍然自行投入研發(fā)提高技術(shù)能力。
??此次，該公司自行開(kāi)發(fā)的3x納米順利完成研發(fā)，等于是中國(guó)臺(tái)灣擁有自主研發(fā)DRAM技術(shù)的存儲(chǔ)器廠，今年第4季就可進(jìn)入量產(chǎn)。
??另外，華邦電的Fab C新廠將在年底裝機(jī)，明年第1季可以開(kāi)始進(jìn)行投片，明年第3季可以開(kāi)始挹注營(yíng)收，屆時(shí)將可為華邦電營(yíng)運(yùn)帶來(lái)明顯的成長(zhǎng)動(dòng)能。
??法人表示，華邦電DRAM制程長(zhǎng)達(dá)6年的空窗期今年底會(huì)解除，2018年還會(huì)投入2x納米制程量產(chǎn)，營(yíng)運(yùn)上已經(jīng)走出谷底，可望開(kāi)始透過(guò)技術(shù)升級(jí)來(lái)追成營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)。
??在快閃存儲(chǔ)器部份，華邦電主要生產(chǎn)國(guó)際大廠已經(jīng)淡出的低容量NAND Flash，近年來(lái)積極卡位獲利穩(wěn)定的汽車(chē)及工控市場(chǎng)有成，已經(jīng)成為主要供應(yīng)商。同時(shí)，華邦電在DRAM打進(jìn)歐美日韓一線(xiàn)汽車(chē)客戶(hù)后，NOR及NAND Flash也都完成車(chē)規(guī)認(rèn)證，是中國(guó)臺(tái)灣唯一擁有DRAM、NOR、NAND等完整存儲(chǔ)器產(chǎn)品線(xiàn)的業(yè)者，營(yíng)運(yùn)效益將會(huì)在明年顯現(xiàn)出來(lái)。
